赌博技巧 FloatingGateVSChargeTrap
FG flash对浮栅极下面的绝缘层(Tunnel氧化物)很敏感,该氧化物厚度变薄(制成减小导致的)或者老化(degradation, 擦写次数多了),浮栅极里面的电子就容易跑出来。浮栅极里面的电子可以自由移动,是从不良绝缘层跑出来的关键。
早起尺寸为70nm的胞元可经受10000次的P/E,现在尺寸为1Xnm的胞元只能经受2000次的P/E操作。
NAND Flash存储体通过基于浮栅的MOS管,即胞元来存储信息,根据胞元阈值电压的不同表征存储信息的不同。胞元浮栅极上下被绝缘层包围,当电荷通过编程注入浮栅后,即使掉电电荷也不会泄漏,存储的信息也不会丢失。
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